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标题：SiC MOSFET驱动及保护电路设计 |
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作者：柳舟洲 张朝晖 |
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| 2019年第12期 访问次数：182次 |
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摘要：SiC MOSFET器件具有高耐压、低导通电阻、高频等优良特性，工业应用中具有明显优势，发展快速。本文首先阐述了SiC MOSFET主要特性，分析了驱动电路的特点，并给出了基于分立器件的驱动及保护电路设计。基于CREE公司最新第三代器件，设计了驱动电路，并通过双脉冲电路及桥臂直通电路测试验证所设计的SiC器件门极驱动电路参数及短路保护电路参数的准确性和合理性。
关键词：SiC MOSFET；门极参数；双脉冲测试 ；桥臂直通短路 |
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